[发明专利]ALD机台腔体的净化方法在审
| 申请号： | 201510229506.4 | 申请日： | 2015-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104911562A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 余先涛;周夏;辛科 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明的ALD机台腔体的净化方法，包括：提供晶圆，向所述机台腔体内通入六氯乙硅烷，在所述晶圆上进行原子层沉积工艺；对所述机台腔体进行降压升温；向所述机台腔体同时通入氢气和氧气。本发明中，向机台腔体中同时通入氢气和氧气，使得进行原子沉积的过程中未充分反应的六氯乙硅烷与氢气和氧气反应，反应生成物在相对较低的压强下随气流带至机台腔体外，使得六氯乙硅烷不会与空气中的水汽反应生成硅和二氧化硅的副产物留在机台腔体中，影响机台性能，从而避免机台中的残留物对原子层沉积过程的影响。 | ||
| 搜索关键词： | ald 机台 净化 方法 | ||
【主权项】：
一种ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，包括：提供晶圆，向所述机台腔体内通入六氯乙硅烷，在所述晶圆上进行原子层沉积工艺；对所述机台腔体进行降压升温；向所述机台腔体同时通入氢气和氧气。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
