[发明专利]复合靶气相沉淀制备晶界扩散稀土永磁材料的方法

摘要

本发明提供了一种复合靶气相沉淀制备晶界扩散稀土永磁材料的方法，该方法是采用复合靶材蒸发附着于NdFeB磁体表面，通过中高温处理以及低温时效处理，磁体矫顽力明显提高，剩磁和磁能积基本不降低。本发明的有益效果是提高了磁体的矫顽力，同时消除了长时间高温处理导致的融坑和晶粒长大等缺陷，使得重稀土的使用量大幅降低，降低了产品的成本。

主权项

一种复合靶气相沉淀制备晶界扩散稀土永磁材料的方法，其特征在于，包括如下操作步骤：步骤一，复合靶材的制备，所述复合靶材具有如下化学式H100‑x‑yMxQy，其中，H为Dy或/和Tb，M为Nd或/和Pr，Q为Cu、Al、Zn和Sn中的一种或多种，x、y为所述复合靶材中各成分的原子百分含量，x＝0‑5、y＝1‑10；所述复合靶材的尺寸为：厚度为0.5‑3mm、长度为180‑300mm和宽度为100‑240mm；步骤二，将烧结NdFeB磁体加工成规定形状和尺寸，随后进行表面清理及干燥，从而得到待处理NdFeB磁体；步骤三，将所述复合靶材和所述待处理NdFeB磁体依次交替叠置于处理设备中，且最上层和最底层均为所述复合靶材，以所述复合靶材作为蒸发源，在规定条件下使所述待处理NdFeB磁体表面包覆金属膜并发生晶界扩散，之后随炉冷却，从而得到扩散后的NdFeB磁体；所述规定条件如下：保温温度为650‑750℃，保温时间为20‑50h；步骤四，将所述扩散后的NdFeB磁体进行回火处理，使晶界相均匀包裹在主相粒子外，从而得到性能提高的磁体。