[发明专利]FinFET器件的结构和形成方法

摘要

本发明的实施例提供了半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的隔离结构。半导体器件还包括位于半导体衬底上方的第一外延鳍和第二外延鳍，并且第一外延鳍和第二外延鳍从隔离结构中突出。半导体器件还包括位于第一外延鳍和第二外延鳍上方且横跨第一外延鳍和第二外延鳍的栅极堆叠件。此外，半导体器件包括从隔离结构的顶面开始延伸的凹槽。凹槽介于第一外延鳍和第二外延鳍之间。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；隔离结构，位于所述半导体衬底上方；第一外延鳍和第二外延鳍，位于所述半导体衬底上方，其中，所述第一外延鳍和所述第二外延鳍从所述隔离结构中突出；栅极堆叠件，位于所述第一外延鳍和所述第二外延鳍上方且横跨所述第一外延鳍和所述第二外延鳍；以及凹槽，从所述隔离结构的顶面处开始延伸，其中，所述凹槽介于所述第一外延鳍和所述第二外延鳍之间。