[发明专利]一种控制GPP芯片玻璃沿高度的制作工艺有效
| 申请号： | 201510231230.3 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104952742B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 徐长坡;牛宝钢;梁效峰;王晓捧;杨玉聪 | 申请（专利权）人： | 天津中环半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制GPP芯片玻璃沿高度的制作工艺。在GPP芯片制作过程中，对硅片进行沟槽腐蚀后，采用湿法刻蚀工艺对芯片表面的二氧化硅保护层进行刻蚀，以控制留存的二氧化硅保护层的尺寸，在湿法刻蚀工艺中，刻蚀液温度20~50℃；刻蚀液中的HF浓度5%~15%；刻蚀时间50~80s；沉积玻璃粉的重量90g~110g。通过有效地控制GPP芯片玻璃沿的高度，使电泳GPP芯片能够满足元器件厂各种封装条件，在保证产品高可靠性的基础上，提升封装良率，降低封装成本，同时以高可靠性、高封装良率、低成本的优势，彻底打开了电泳GPP芯片的市场，从而满足市场对小尺寸电泳GPP芯片的应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 gpp 芯片 玻璃 高度 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种控制GPP芯片玻璃沿高度的制作工艺，其特征在于，在GPP芯片制作过程中，对硅片进行沟槽腐蚀后，采用湿法刻蚀工艺对芯片表面的二氧化硅保护层进行刻蚀，以控制留存的二氧化硅保护层的尺寸，在湿法刻蚀工艺中，设定刻蚀液温度为20~50℃；控制刻蚀液中的HF与H2O的比例范围为；刻蚀时间为50~80s；在后序的电泳工艺中，控制沉积玻璃粉的重量为90g~110g，控制玻璃上涨的角度及厚度，最终控制GPP芯片玻璃沿高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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