[发明专利]新型磁光单晶材料生长方法

摘要

本发明涉及一种新型磁光材料的生长技术和光纤通信领域，特别涉及一种液相外延法生长掺Bi稀土石榴石薄膜(ReBi)₃Fe₅O₁₂的生长技术，包括如下步骤：（A）将纯度为将纯度99.99%以上的PbO、B₂O₃、Bi₂O₃、Fe₂O₃、Re₂O₃粉料按确定的比例混合均匀后装入铂坩埚中，再放入液相外延炉中；（B）对铂坩埚中的原材料进行加热并旋转，使之充分融化并且成分均匀。本发明的有益效果是：液相外延法生长掺Bi磁光薄膜，不但大大缩短的生长周期，并且厚度能达到几百微米，既能达到旋光率的要求，又便于加工，减小磁光器件的体积和重量，实现器件集成化。

主权项

一种新型磁光单晶材料生长方法，其特征在于：包括如下步骤：（A）将纯度为99.99%以上的PbO、B₂O₃、Bi₂O₃、Fe₂O₃、Re₂O₃粉料按确定的比例混合均匀后装入铂坩埚中，再放入液相外延炉中;（B）对液相外延炉先升温再保温，在保温同时使坩埚旋转，使之充分融化并且成分均匀;（C）将GGG基片用超声波在去离子水中清洗干净，固定在清洗干净的铂金夹具上，将夹具放入外延炉预热区预热后，再放入溶液中进行液相外延;(D)外延结束后将基片提升至液面以上并高速旋转甩掉一部分助溶剂，然后取出放入硝酸溶液中进一步去除助溶剂，磨抛加工到所需要的厚度。