[发明专利]新型的旋磁铁氧体基片的平整化方法在审
| 申请号： | 201510231478.X | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104775093A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 邹延珂;倪经;周俊;陈彦;黄豹;郭韦 | 申请（专利权）人： | 西南应用磁学研究所 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/34;H01J37/32 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 胡吉科 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及微加工领域，其公开了一种旋磁铁氧体材料基片的平整化方法，包括如下步骤：清洗旋磁铁氧体基片；基片放入；腔室抽真空；基片加热；基片表面清洁；制备Si02薄膜；基片降至室温后取出。本发明的有益效果是：采用绝缘性能高、表面能级密度低、导热性好、热膨胀系数小的绝缘材料SiO2、Al2O3、MgO，先旋磁铁氧体基片上溅射一层绝缘薄膜，再在旋磁铁氧体基片上制备高可靠性、高稳定性的旋磁铁氧体薄膜微波电路。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 磁铁 氧体基片 平整 方法 | ||
【主权项】：
一种新型的旋磁铁氧体基片的平整化方法，包括如下步骤：（1）清洗旋磁铁氧体基片，使用去离子水在超声波清洗机中对基片进行清洗；（2）基片放入，将旋磁铁氧体基片装入真空腔室；（3）腔室抽真空，开启机械泵、分子泵对真空腔室进行高真空排气处理；（4）基片加热，开启加热器，将旋磁铁氧体基片进行加热处理；（5）基片表面清洁，将旋磁铁氧体基片进行离子轰击处理；（6）制备Si02薄膜，充入溅射气氛Ar气，开启溅射电源，进行Si02薄膜制备；（7）基片降至室温后取出。
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