[发明专利]单相H桥逆变器的波形发生方法在审
申请号: | 201510232380.6 | 申请日: | 2015-05-08 |
公开(公告)号: | CN104811080A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 单升华;苗永强 | 申请(专利权)人: | 北京阿启蒙技术有限公司 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387;H02M1/12;H02P27/08 |
代理公司: | 北京国帆知识产权代理事务所(普通合伙) 11334 | 代理人: | 李增朝 |
地址: | 100102 北京市朝阳区望*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种单相H桥逆变器的波形发生方法,单相H桥逆变器包括四个绝缘栅双极型晶体管,波形发生方法包括:系统上电;脉冲宽度调制波形发生中断后,将单相H桥逆变器的四个绝缘栅双极型晶体管根据配置规则进行设置,配置规则为:H桥中的其中一个绝缘栅双极型晶体管为常开,与之相对角的另外一个绝缘栅双极型晶体管为脉冲宽度调制,其他的两个绝缘栅双极型晶体管为常关;所述四个绝缘栅双极型晶体管轮流进行脉冲宽度调制。本发明有效地解决了现有技术中电机损耗高、单相H桥逆变器发热量大的问题。 | ||
搜索关键词: | 单相 逆变器 波形 发生 方法 | ||
【主权项】:
一种单相H桥逆变器的波形发生方法,所述单相H桥逆变器包括四个绝缘栅双极型晶体管,其特征在于,所述波形发生方法包括:系统上电;脉冲宽度调制波形发生中断后,将所述单相H桥逆变器的四个绝缘栅双极型晶体管根据配置规则进行设置,所述配置规则为:H桥中的其中一个绝缘栅双极型晶体管为常开,与之相对角的另外一个绝缘栅双极型晶体管为脉冲宽度调制,其他的两个绝缘栅双极型晶体管为常关;所述四个绝缘栅双极型晶体管轮流进行脉冲宽度调制。
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