[发明专利]结晶性层叠结构体、半导体装置在审
| 申请号： | 201510232391.4 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN105097957A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 人罗俊实;织田真也;高塚章夫 | 申请（专利权）人： | FLOSFIA株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/205;H01L33/36;C23C16/40 |
| 代理公司： | 深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司 44340 | 代理人： | 温青玲 |
| 地址： | 日本京都府京都市西京区*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗、硅、钛、锆、钒或铌。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 层叠 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种结晶性层叠结构体，其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，其特征在于，所述氧化物半导体含有的主要成分是铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗、硅、钛、锆、钒或铌。
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