[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201510232850.9 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN105097958A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 伊藤孝浩;大西徹;山寺秀哉;町田悟;山下侑佑 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体层，其含有Si；阳极电极，其与半导体层的一个主面的至少一部分肖特基接触。阳极电极的材料为，含有选自Ti、Ta、Nb、Hf、Zr、W、Mo以及V中的至少一种的AlSi合金。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体层，其含有Si；肖特基电极，其与所述半导体层的一个主面的至少一部分肖特基接触，所述肖特基电极的材料为，含有选自Ti、Ta、Nb、Hf、Zr、W、Mo以及V中的至少一种的AlSi合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社，未经丰田自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510232850.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
