[发明专利]场效应晶体管和其制造方法及显示器在审
| 申请号： | 201510232927.2 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104952931A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 徐洪远;萧祥志;苏长义 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/28;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘华联 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及场效应晶体管和其制造方法及显示器。场效应晶体管包括：相互间隔开设置的源极和漏极，设置于所述源极和漏极之间的半导体层，处于所述半导体层的一侧的第一栅极层，以及处于所述半导体层的另一侧的第二栅极层。这种场效应晶体管的能耗较低。用于制造这种场效应晶体管的方法成本较低。使用这种场效应晶体管的显示器的能耗较低。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 显示器 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其包括：相互间隔开设置的源极和漏极，设置于所述源极和漏极之间的半导体层，处于所述半导体层的一侧的第一栅极层，以及处于所述半导体层的另一侧的第二栅极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510232927.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
