[发明专利]一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510233171.3 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN106206724B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;邱海亮;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：在外延层上表面生成第一预设厚度的垫氧化层；在所述垫氧化层上的第一预设区域定义下沉区域，并在所述下沉区域的垫氧化层上形成预设深度的凹槽，所述凹槽的底部位于所述氧化层中；在所述凹槽中进行下沉区离子注入，形成下沉区；在所述垫氧化层上表面沉积氮化硅，然后以所述凹槽为对准标记定义有源区并制备有源区。本发明通过在外延层上形成一层较厚的氧化层，在氧化层上通过刻蚀形成凹槽，并将凹槽作为形成下沉层的对准标记，从而避免了传统工艺中的离子注入区形成断层，降低了器件的导通电阻，并且避免了产生晶格缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 水平 扩散 氧化物 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高频水平双扩散氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在外延层上表面生成第一预设厚度的垫氧化层；在所述垫氧化层上的第一预设区域定义下沉区域，并在所述下沉区域的垫氧化层上形成预设深度的凹槽，所述凹槽的底部位于所述垫氧化层中；在所述凹槽中进行下沉区离子注入，形成下沉区；在所述垫氧化层上表面沉积氮化硅，所述氮化硅上同样具有凹槽，然后以所述氮化硅上的凹槽为对准标记定义有源区并制备有源区。
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