[发明专利]包括箝位结构的集成电路和调整箝位晶体管阈值电压方法有效
申请号: | 201510233707.1 | 申请日: | 2015-05-08 |
公开(公告)号: | CN105097802B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | J.巴伦舍恩;A.毛德 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L21/8234 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;胡莉莉 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及包括箝位结构的集成电路和调整箝位晶体管阈值电压方法。一种集成电路(100),包括:负载晶体管(102),包括第一和第二负载端子和负载控制端子。集成电路(100)还包括箝位结构(110)。箝位结构(110)包括箝位晶体管(112),所述箝位晶体管(112)包括第一和第二箝位晶体管负载端子和栅极端子,其中箝位晶体管(112)电耦合在负载控制端子和第一负载端子之间,并且负载晶体管(102)的箝位电压由箝位晶体管(112)的阈值电压Vth确定。 | ||
搜索关键词: | 包括 箝位 结构 集成电路 调整 晶体管 阈值 电压 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路(100),包括:负载晶体管(102),包括第一和第二负载端子和负载控制端子;箝位结构(110),包括箝位晶体管(112),所述箝位晶体管(112)包括第一和第二箝位晶体管负载端子和控制栅端子,其中箝位晶体管(112)电耦合在负载控制端子和第一负载端子之间,并且负载晶体管(102)的箝位电压由箝位晶体管(112)的阈值电压Vth确定,其中箝位晶体管(112)包括电连接到控制栅端子的控制栅电极(245)和在控制栅电极和半导体本体之间的电荷存储(249)结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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