[发明专利]X射线平板探测器在审

专利信息
申请号: 201510236165.3 申请日: 2015-05-11
公开(公告)号: CN104795419A 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 高锦成;曹占锋;孔祥春;姚琪;李正亮;张斌;何晓龙 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种X射线平板探测器,包括衬底和设置于衬底上的薄膜晶体管、像素电极层、光电二极管、透明电极层、X射线转化层,其中所述X射线平板探测器还包括电场施加结构,用于形成一电场,所述光电二极管处于所述电场中,且所述电场的方向与所述光电二极管将可见光转换为电信号时负电荷的移动方向相同。该探测器通过施加与光电二极管的负电荷移动方向相同的电场,使得在电场作用下,光电二极管的电子和空穴的移动加速,电信号能够快速达到像素电极,从而达到提高X射线探测器的量子探测效率和灵敏度的效果。
搜索关键词: 射线 平板 探测器
【主权项】:
1.一种X射线平板探测器,包括衬底和设置于衬底上的薄膜晶体管、像素电极层、光电二极管、透明电极层、X射线转化层,其特征在于,所述X射线平板探测器还包括电场施加结构,用于形成一电场,所述光电二极管处于所述电场中,且所述电场的方向与所述光电二极管将可见光转换为电信号时正电荷的移动方向相同;其中,所述电场施加结构包括:正电极层,设置于所述衬底和所述光电二极管之间;其中,所述正电极层与所述薄膜晶体管的源/漏极同层同材料设置;或者,所述正电极层与所述薄膜晶体管的栅极同层同材料设置;或者,所述正电极层与所述像素电极层为同层、同材料且相互绝缘设置;负电极层,设置于所述X射线转换层和所述光电二极管之间,且所述负电极层采用透光材料制成。
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