[发明专利]蚀刻剂组合物和制造薄膜晶体管阵列基板的方法有效
| 申请号： | 201510236752.2 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105369249B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 郑康来;申孝燮 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司;易安爱富科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;H01L27/12;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;武胐 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蚀刻剂组合物和制造薄膜晶体管阵列基板的方法，所述蚀刻剂组合物包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、氧化物半导体保护剂和pH调节剂。基于所述蚀刻剂组合物的总重量，所述氧化物半导体保护剂在所述蚀刻剂组合物中的含量为约0.1重量％～3.0重量％。本公开的此种蚀刻剂组合物不包含任何氟类化合物并且具有约3.5～6的高pH值。由此，所述蚀刻剂组合物使氧化物半导体在对铜和钼合金的蚀刻过程中不会被蚀刻。因此，所述蚀刻剂组合物可将在蚀刻过程中容易产生的故障最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻剂组合物 蚀刻 氧化物半导体 薄膜晶体管阵列基板 保护剂 氟类化合物 蚀刻添加剂 蚀刻抑制剂 过氧化氢 最小化 钼合金 螯合剂 制造 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻剂组合物，基于所述蚀刻剂组合物的总重量100重量％，其包含：5重量％～40重量％的过氧化氢；0.1重量％～5重量％的蚀刻抑制剂；0.1重量％～5重量％的螯合剂；0.1重量％～5重量％的蚀刻添加剂；0.1重量％～3重量％的氧化物半导体保护剂；0.1重量％～3重量％的pH调节剂；和剩余重量％的量的水，其中，所述蚀刻添加剂为无机酸盐；其中，所述蚀刻抑制剂是碳数为1～10且包含选自氧、硫和氮中的至少一个杂原子的杂环化合物。
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