[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510239719.5 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105097763A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 潘俊鹏;张义民;林佳升 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构的制造方法包含下列步骤：形成第一绝缘层于晶圆基板的第一表面；形成导电垫于第一绝缘层上；形成贯穿于晶圆基板的第一表面与第二表面的镂空区，使得第一绝缘层从镂空区裸露；以及激光蚀刻裸露于镂空区的第一绝缘层，使得第一绝缘层形成第一开口，且导电垫形成从第一开口裸露的凹部。本发明可提升半导体结构的良率，且可使导电垫的厚度得以减薄，节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包含：一晶圆基板，具有一镂空区及相对的一第一表面与一第二表面，其中该镂空区贯穿该第一表面与该第二表面；一第一绝缘层，位于该晶圆基板的该第一表面上，该第一绝缘层具有一第一开口，且该第一开口连通于该镂空区；以及一导电垫，位于该第一绝缘层相对该晶圆基板的表面上，且该导电垫覆盖该第一开口，使得该导电垫从该镂空区裸露，其中该导电垫具有朝向该第一开口的一凹部，该第一绝缘层具有围绕该第一开口的一倾斜面，使得该凹部与该倾斜面形成剖面形状为U形的一凹槽。
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