[发明专利]用于倒装LED芯片的衬底、外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201510240667.3 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN104835890B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张昊翔;丁海生;李东昇;赵进超;黄捷;陈善麟;江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于倒装LED芯片的衬底、外延片及其制作方法。所述衬底包括氮化镓衬底材料以及具有图形化结构的介质层，所述介质层镶嵌于氮化镓衬底材料中。所述方法包括在蓝宝石衬底上形成晶格匹配层；在晶格匹配层上形成具有图形化结构的介质层，所述介质层暴露出部分晶格匹配层；在晶格匹配层和介质层上生长氮化镓衬底材料，直至氮化镓衬底材料的应力使晶格匹配层和蓝宝石衬底完全脱离时停止；去除至少部分晶格匹配层。本发明提供的用于倒装LED芯片的衬底所采用的氮化镓衬底材料和镶嵌在氮化镓衬底材料中的介质层都具有提高内量子效率和外量子效率的双重功能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 倒装 led 芯片 衬底 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于倒装LED芯片的衬底制作方法，其特征在于，包括：提供一蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上形成晶格匹配层；在所述晶格匹配层上形成具有图形化结构的介质层，所述具有图形化结构的介质层暴露出部分所述晶格匹配层；在所述晶格匹配层和具有图形化结构的介质层上生长氮化镓衬底材料，直至所述氮化镓衬底材料的应力使所述晶格匹配层和蓝宝石衬底完全脱离时停止；去除部分或全部晶格匹配层。
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