[发明专利]功率半导体装置

摘要

本发明涉及一种功率半导体装置，其布置在基底上的且与基底连接的功率半导体元件，功率半导体装置具有壳体部件，该壳体部件具有带有凹部的壳体壁，为了功率半导体装置的电接触，功率半导体装置具有第一负载连接元件，第一负载连接元件具有布置在壳体部件外部的第一外部连接区段和布置在壳体部件内部的第一内部连接区段，在壳体壁中以防旋转且能沿X方向运动的方式布置有配设有内螺纹的沿X方向延伸的第一衬套，第一外部连接区段与第一衬套对齐地具有凹部，第一负载连接元件具有布置在壳体壁的凹部的区域中的第一保持元件，第一保持元件嵌接到壳体壁的垂直于X方向延伸的第一槽中。

主权项

1.一种功率半导体装置，所述功率半导体装置带有基底(20)和布置在所述基底(20)上的且与所述基底(20)连接的功率半导体元件(23)，其中，所述功率半导体装置(1)具有壳体部件(2)，所述壳体部件具有带有凹部(40)的壳体壁(10)，其中，为了所述功率半导体装置(1)的电接触，所述功率半导体装置(1)具有沿垂直于凹部(40)布置的X方向穿过所述壳体壁(10)的凹部(40)延伸的一体地构造的导电的第一负载连接元件(3)，所述第一负载连接元件具有布置在所述壳体部件(2)外部的第一外部连接区段(3a)和布置在所述壳体部件内部的第一内部连接区段(3b)，其中，在所述壳体壁(10)中以防旋转且能沿X方向运动的方式布置有配设有内螺纹的沿X方向延伸的第一衬套(6)，其中，所述第一外部连接区段(3a)与所述第一衬套(6)对齐地具有凹部(11)，其中，所述第一负载连接元件(3)具有布置在所述壳体壁(10)的凹部(40)的区域中的第一保持元件(8)，所述第一保持元件嵌接到所述壳体壁(10)的垂直于X方向延伸的第一槽(9)中。