[发明专利]半导体器件中的机械应力去耦合

摘要

本公开涉及半导体器件中的机械应力去耦合。根据半导体器件制造中的方法，在半完成的半导体器件中并行地刻蚀第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽为最终半导体器件的第一区域和其第二区域之间的机械去耦合沟槽。该方法进一步包括并行地对第一沟槽的侧壁和第二沟槽的侧壁进行钝化或绝缘。相关的半导体器件包括被配置用于提供在半导体器件的第一区域和第二区域之间的机械去耦合的第一沟槽。该半导体器件进一步包括第二沟槽以及在第一沟槽的侧壁处和在第二沟槽的侧壁处的侧壁涂层。在第一沟槽的侧壁处和在第二沟槽的侧壁处的侧壁涂层具有相同材料。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半完成的半导体器件中并行地刻蚀第一沟槽和第二沟槽，其中所述第一沟槽为最终半导体器件的第一区域和其第二区域之间的机械去耦合沟槽；以及并行地钝化所述第一沟槽的侧壁和所述第二沟槽的侧壁，其中并行地刻蚀和并行地钝化的动作在前端工艺线工艺或后端工艺线工艺期间执行，其中在所述前端工艺线工艺的情况下，在所述半完成的半导体器件的前端工艺线部分中形成所述第一沟槽和所述第二沟槽，并且在所述后端工艺线工艺的情况下，在所述半完成的半导体器件的后端工艺线部分中形成所述第一沟槽和所述第二沟槽，其中所述方法进一步包括：在所述半完成的半导体器件中刻蚀第三沟槽，其中所述第三沟槽为在所述后端工艺线部分中的所述半完成的半导体器件的所述第一区域和所述第二区域之间的另一机械去耦合沟槽，并且其中所述第一沟槽和所述第二沟槽形成在所述前端工艺线部分中，其中所述第一沟槽和所述第三沟槽在与所述半完成的半导体器件的主表面垂直的方向上彼此对准，以及其中刻蚀所述第三沟槽包括重新打开所述第一沟槽，并且其中所述方法进一步包括：并行地钝化所述第一沟槽的侧壁和所述第三沟槽的侧壁。