[发明专利]Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510244734.9 申请日: 2015-05-14
公开(公告)号: CN104891989B 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 袁昌来;周星星;冯琴;刘笑;周昌荣;杨涛;许积文;黎清宁;陈国华 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/622
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司45112 代理人: 罗玉荣
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷及其制备方法,制备方法采用放电等离子烧结(SPS)技术制备Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷,其中0.05≤x≤0.3,M为Sn、Zr、(Mg1/3Nb2/3)、(Mg1/3Ta2/3)、(Zn1/3Nb2/3)、(Zn1/3Ta2/3)、(Ni1/3Nb2/3)、(Ni1/3Ta2/3)、(Al1/2Nb1/2)、(Al1/2Ta1/2)、(Co1/2Nb1/2)、(Co1/2Ta1/2)、(Cr1/2Nb1/2)、(Cr1/2Ta1/2)中的一种。本发明制备的高储能密度陶瓷,基于电滞回线计算的储能密度可达0.9~2.4 J/cm3,可承受最高交流电压介于115~210 kV/cm之间。
搜索关键词: sr sub bi 0.47 na ba 0.06 ti 高储能 密度 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷,其特征是:其组成通式为Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3,式中:0.05≤x≤0.3,符号M为Sn、Zr、(Mg1/3Nb2/3)、 (Mg1/3Ta2/3)、(Zn1/3Nb2/3)、(Zn1/3Ta2/3)、(Ni1/3Nb2/3)、(Ni1/3Ta2/3)、(Al1/2Nb1/2)、(Al1/2Ta1/2)、(Co1/2Nb1/2)、(Co1/2Ta1/2)、(Cr1/2Nb1/2)、(Cr1/2Ta1/2)中的一种;所述高储能密度陶瓷由下述方法制得:(1)采用传统粉体合成技术合成Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3粉体:选择高纯度≥99.8%的SrCO3、Bi2O3、Na2CO3、BaCO3、MOy为相应的金属氧化物、TiO2粉末为原料,按照SrCO3:Bi2O3:Na2CO3:BaCO3:MOy:TiO2 = x:(0.235‑0.235x):(0.235‑0.235x):(0.06‑0.06x):x:(1‑x)的摩尔比例混合,然后在高能球磨机中充分混合,取出烘干;(2)研磨,在950~1050℃保温2~4小时合成Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3化合物,再次研磨得Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3分散均匀粉体;(3)将步骤(2)所得粉体装入等离子放电烧结炉的石墨磨具中,加压至30~50MPa,然后把等离子放电烧结炉快速升温至900~1050℃并保温10~30分钟即成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学,未经桂林电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510244734.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top