[发明专利]离子注入装置有效
| 申请号： | 201510245654.5 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN105304441B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 松下浩;椛泽光昭;天野吉隆;八木田贵典 | 申请（专利权）人： | 斯伊恩股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够广泛使用的离子注入装置。本发明的离子注入装置具备扫描单元(1000)，该扫描单元包括扫描电极装置(400)，向沿着基准轨道(Z)射入的离子束(B)施加偏转电场，以向与基准轨道(Z)正交的横向扫描离子束(B)；及下游电极装置(500)，配置于扫描电极装置(400)的下游，且设有供横向扫描的离子束(B)通过的开口部。扫描电极装置(400)具有隔着基准轨道(Z)横向对置而设的一对扫描电极(410R，410L)。下游电极装置(500)的开口部具有电极体，该电极体构成为，与基准轨道(Z)及横向双向正交的纵向开口宽度和/或沿着基准轨道(Z)的方向的厚度，在基准轨道(Z)所处的中央部和与扫描电极(410R，410L)的下游端部(422)对置的位置附近不同。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 装置 | ||
【主权项】：
一种离子注入装置，其具备：扫描单元，该扫描单元包括：扫描电极装置，向沿着基准轨道射入的离子束施加偏转电场，以向与所述基准轨道正交的横向扫描离子束；及下游电极装置，配置于所述扫描电极装置的下游，且设有供所述横向扫描的离子束通过的开口部；以及射束平行化装置，被配置在所述扫描单元的下游，将通过所述扫描单元向所述横向扫描的离子束平行化，该离子注入装置的特征在于，所述扫描电极装置具有隔着所述基准轨道在所述横向对置而设的一对扫描电极，所述下游电极装置具有电极体，该电极体构成为，与所述基准轨道及所述横向双向正交的纵向开口宽度和/或沿着所述基准轨道的方向的开口部的厚度，在所述基准轨道所处的中央部和与所述扫描电极的下游端部对置的位置附近不同，所述下游电极装置构成为，通过所述扫描电极装置扫描偏转之后，对从所述扫描电极装置射出的离子束中在通过扫描两端部附近的离子束产生的偏转像差进行补正的电极透镜。
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