[发明专利]一种耐镉青霉菌及其分离方法

摘要

本发明公开了一种耐镉青霉菌及其分离方法，包括土样采集，取土壤悬浮液lmL接种于含Cd(NO₃)₂2mM马铃薯葡萄糖琼脂培养基液体培养基中；取耐镉真菌富集培养10倍系列稀释液100μL涂布于2mM Cd²⁺PDA平板上，分离、筛选耐镉能力更强的真菌；所述耐镉真菌初步鉴定为青霉属，对Cd²⁺吸附率可达83.56％；Cd、Pb、Zn、Cu对CN35的最低抑制浓度分别为46、＞80、＞80、20mM。本发明扩充了微生物修复的菌种资源库，并对生长条件进行摸索，为培养和进一步探索利用菌株进行稻田环境镉污染治理提供理论基础，为镉污染土壤微生物修复工程提供了良好的菌种。

主权项

一种耐镉青霉菌的分离方法，其特征在于，所述耐镉青霉菌的分离方法包括以下步骤：步骤一，土样采集、土样重金属含量和pH测定，土壤样品采自湖南省常宁市松柏镇新同村湘江流域稻田，采集一季晚稻田5‑20cm土壤2kg，混匀后分装于两个无菌密封袋，一袋置于冰盒中带回实验室4℃保存，用于耐镉真菌筛选；一袋风干测定土壤样品全量Cd、Cu、Pb、Zn含量及pH；步骤二，水稻田采集的镉污染土壤10mg溶于90mL无菌去离子水中，磁力搅拌30min制备土壤悬浮液，静置10min；取上清液1mL接种于含Cd(NO₃)₂2mM的PDA液体培养基中，28℃振荡培养箱中150rpm条件下耐镉真菌富集培养7d；步骤三，取耐镉真菌富集培养10倍系列稀释液100μL涂布于2mM Cd²⁺PDA平板上，28℃培养7d后生长良好的菌落依次转接于4、8、16mM等浓度Cd²⁺PDA平板上，梯度驯化培养，直至平板上不长出菌落时停止转接，筛选到耐最高浓度Cd²⁺的真菌。