[发明专利]一种电子发射体功函数可调的阴极及其阵列有效
| 申请号： | 201510250562.6 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104992890B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 魏贤龙;吴功涛;陈清 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J1/15 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 | 代理人： | 余功勋 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子发射体功函数可调的阴极，包括一电子发射体；位于所述电子发射体两端，并和所述电子发射体电连接的一电极对；调制所述电子发射体功函数的一栅电极；隔离所述栅电极和所述电子发射体的一隔离层。还提供一种电子发射体功函数可调的阴极阵列，其包含一定数量的以上任意一种电子发射体功函数可调的阴极，所述一定数量的阴极排布在同一衬底表面。本发明提出的电子发射体功函数可调的新型电子发射阴极及其阵列，可通过栅电极的调制来降低电子发射体的功函数，从而提高阴极的性能，可以广泛地应用于涉及电子发射阴极的各种电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 发射 函数 可调 阴极 及其 阵列 | ||
【主权项】：
一种电子发射体功函数可调的阴极，包括一电子发射体；位于所述电子发射体两端，并和所述电子发射体电连接的一电极对；调制所述电子发射体功函数的一栅电极；隔离所述栅电极和所述电子发射体的一隔离层；其特征在于，所述电子发射体在费米能级附近具有的电子能态密度小于1012/cm2·meV；所述电极对的材质为具有低功函数的金属。
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