[发明专利]一种电子束区域熔炼多晶硅设备及排除杂质的方法在审

专利信息
申请号: 201510252743.2 申请日: 2015-05-15
公开(公告)号: CN104878448A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 王鹏;秦世强;石爽;谭毅;姜大川 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C30B28/08 分类号: C30B28/08;C30B29/06
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 李馨
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种电子束区域熔炼多晶硅设备,包括熔炼炉和设置在所述熔炼炉内的区域熔炼坩埚,所述熔炼炉的侧壁上部设有观察窗,所述熔炼炉的底端设有冷却水进水口和冷却水出水口,其特征在于:在所述区域熔炼坩埚的右侧上方设有电子枪,所述电子枪的电子束从所述区域熔炼坩埚的左侧向右侧区域移动,且对铺设在所述区域熔炼坩埚上的硅块加热。本发明还公开了应用该设备排除杂质的方法。本发明实现了硅块的连续化熔炼和凝固,通过控制电子束的移动速度,使电子束照射区域熔炼蒸发出蒸汽压大的元素,同时在照射区的左侧由于电子束的移动形成温度逐步变化,使左侧的硅液实现定向凝固,缩短了单炉生产时间,设备简单方法易行,节省了能耗。
搜索关键词: 一种 电子束 区域 熔炼 多晶 设备 排除 杂质 方法
【主权项】:
一种电子束区域熔炼多晶硅设备,包括熔炼炉和设置在所述熔炼炉内的区域熔炼坩埚,所述熔炼炉的侧壁上部设有观察窗,所述熔炼炉的底端设有冷却水进水口和冷却水出水口,其特征在于:在所述区域熔炼坩埚的右侧上方设有电子枪,所述电子枪的电子束从所述区域熔炼坩埚的左侧向右侧区域移动,且对铺设在所述区域熔炼坩埚上的硅块加热。
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