[发明专利]一种电子束区域熔炼多晶硅设备及排除杂质的方法在审
申请号: | 201510252743.2 | 申请日: | 2015-05-15 |
公开(公告)号: | CN104878448A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 王鹏;秦世强;石爽;谭毅;姜大川 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C30B28/08 | 分类号: | C30B28/08;C30B29/06 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 李馨 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种电子束区域熔炼多晶硅设备,包括熔炼炉和设置在所述熔炼炉内的区域熔炼坩埚,所述熔炼炉的侧壁上部设有观察窗,所述熔炼炉的底端设有冷却水进水口和冷却水出水口,其特征在于:在所述区域熔炼坩埚的右侧上方设有电子枪,所述电子枪的电子束从所述区域熔炼坩埚的左侧向右侧区域移动,且对铺设在所述区域熔炼坩埚上的硅块加热。本发明还公开了应用该设备排除杂质的方法。本发明实现了硅块的连续化熔炼和凝固,通过控制电子束的移动速度,使电子束照射区域熔炼蒸发出蒸汽压大的元素,同时在照射区的左侧由于电子束的移动形成温度逐步变化,使左侧的硅液实现定向凝固,缩短了单炉生产时间,设备简单方法易行,节省了能耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 电子束 区域 熔炼 多晶 设备 排除 杂质 方法 | ||
【主权项】:
一种电子束区域熔炼多晶硅设备,包括熔炼炉和设置在所述熔炼炉内的区域熔炼坩埚,所述熔炼炉的侧壁上部设有观察窗,所述熔炼炉的底端设有冷却水进水口和冷却水出水口,其特征在于:在所述区域熔炼坩埚的右侧上方设有电子枪,所述电子枪的电子束从所述区域熔炼坩埚的左侧向右侧区域移动,且对铺设在所述区域熔炼坩埚上的硅块加热。
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