[发明专利]从四极离子阱的离子喷射有效
申请号: | 201510253332.5 | 申请日: | 2015-05-18 |
公开(公告)号: | CN105097414B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | C·A·霍克;D·格林菲尔德;R·黑明 | 申请(专利权)人: | 塞莫费雪科学(不来梅)有限公司 |
主分类号: | H01J49/16 | 分类号: | H01J49/16 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 沙永生,江磊 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种从四极离子阱喷射待分析的离子的方法,其中俘获场通过施加到该阱的一个或多个电极上的一个或多个RF电压产生,该方法包括以下步骤冷却该四极离子阱内的这些待分析的离子直到这些离子热化;减小施加到该四极离子阱上的一个或多个RF电压的幅值,并且在该一个或多个RF电压已经达到过零点之后施加这些减小幅值的RF电压持续半周期;断开施加到该四极离子阱上的这些RF电压;并且从该四极离子阱喷射这些待分析的离子。 | ||
搜索关键词: | 离子 喷射 | ||
【主权项】:
一种从四极离子阱喷射待分析的离子的方法,其中俘获场通过施加到该阱的一个或多个电极上的一个或多个RF电压产生,该方法包括以下步骤:(a)冷却该四极离子阱内的这些待分析的离子直到这些离子热化;(b)减小施加到该四极离子阱上的一个或多个RF电压的幅值,并且施加该一个或多个减小幅值的RF电压持续从该一个或多个RF电压已经达到过零点起的实质上半周期;(c)在该半周期之后断开施加到该四极离子阱上的该一个或多个RF电压;步骤(a)到(c)按该顺序执行;并且(d)与步骤(c)同时或在其之后从该四极离子阱喷射这些待分析的离子。
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