[发明专利]从四极离子阱的离子喷射有效

专利信息
申请号: 201510253332.5 申请日: 2015-05-18
公开(公告)号: CN105097414B 公开(公告)日: 2017-04-19
发明(设计)人: C·A·霍克;D·格林菲尔德;R·黑明 申请(专利权)人: 塞莫费雪科学(不来梅)有限公司
主分类号: H01J49/16 分类号: H01J49/16
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 沙永生,江磊
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种从四极离子阱喷射待分析的离子的方法,其中俘获场通过施加到该阱的一个或多个电极上的一个或多个RF电压产生,该方法包括以下步骤冷却该四极离子阱内的这些待分析的离子直到这些离子热化;减小施加到该四极离子阱上的一个或多个RF电压的幅值,并且在该一个或多个RF电压已经达到过零点之后施加这些减小幅值的RF电压持续半周期;断开施加到该四极离子阱上的这些RF电压;并且从该四极离子阱喷射这些待分析的离子。
搜索关键词: 离子 喷射
【主权项】:
一种从四极离子阱喷射待分析的离子的方法,其中俘获场通过施加到该阱的一个或多个电极上的一个或多个RF电压产生,该方法包括以下步骤:(a)冷却该四极离子阱内的这些待分析的离子直到这些离子热化;(b)减小施加到该四极离子阱上的一个或多个RF电压的幅值,并且施加该一个或多个减小幅值的RF电压持续从该一个或多个RF电压已经达到过零点起的实质上半周期;(c)在该半周期之后断开施加到该四极离子阱上的该一个或多个RF电压;步骤(a)到(c)按该顺序执行;并且(d)与步骤(c)同时或在其之后从该四极离子阱喷射这些待分析的离子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于塞莫费雪科学(不来梅)有限公司,未经塞莫费雪科学(不来梅)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510253332.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top