[发明专利]用于电子器件的栅绝缘层在审

专利信息
申请号: 201510255696.7 申请日: 2011-08-26
公开(公告)号: CN105038069A 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: D·C·穆勒;T·库尔;P·米斯基韦茨;M·卡拉斯克-奥罗兹可;A·贝尔;E·埃尔斯;L·F·罗迪斯;藤田一義;H·恩格;P·坎达纳拉什切;S·史密斯 申请(专利权)人: 默克专利股份有限公司;普罗米鲁斯有限责任公司
主分类号: C08L45/00 分类号: C08L45/00;C08K5/3415;H01L51/05;H01L51/30
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 冯奕
地址: 德国达*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件,以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。
搜索关键词: 用于 电子器件 绝缘
【主权项】:
聚合物组合物,其包括聚环烯烃聚合物和交联剂,其中所述聚合物包含一种或多种具有可交联基团的重复单元,和所述交联剂是下式的化合物:其中R10和R11各自独立地为H或C1‑C6烷基,和A″是单键或间隔基团、连接基团或桥基且优选选自(CZ2)n、(CH2)n‑(CH=CH)p‑(CH2)n、(CH2)n‑O、(CH2)n‑O‑(CH2)n、(CH2)n‑C6Q10‑(CH2)n和C(O)‑O,其中每个n独立地为0到12的整数,p为1‑6的整数,Z独立地为H或F、C6Q10是被Q取代的环己基,Q独立地为H、F、CH3、CF3或OCH3
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