[发明专利]剥离方法有效
申请号: | 201510255893.9 | 申请日: | 2015-05-19 |
公开(公告)号: | CN105097679B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 小柳将;武田昇;森数洋司 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/20;B23K20/00;B23K20/10;B23K26/50;B23K26/08;B23K26/0622 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种剥离方法,即使在不可以充分破化缓冲层的情况下也可以容易剥离外延基板。该剥离方法将在外延基板的正面隔着缓冲层形成有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设基板,该剥离方法包括:移设基板接合工序,在光器件晶片的光器件层的正面借助于接合材料接合移设基板而形成复合基板;缓冲层破坏工序,从构成复合基板的光器件层的外延基板的背面侧向缓冲层照射对外延基板具有透射性且对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线,破坏缓冲层;以及光器件层移设工序,在实施了缓冲层破坏工序之后,将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板,光器件层移设工序向复合基板施加超声波振动来实施。 | ||
搜索关键词: | 剥离 方法 | ||
【主权项】:
1.一种剥离方法,将在外延基板的正面上隔着缓冲层形成有光器件层的光器件晶片的光器件层转移到移设基板,所述剥离方法的特征在于,包括:移设基板接合工序,在光器件晶片的光器件层的正面上借助于接合材料接合移设基板而形成复合基板;缓冲层破坏工序,从构成该复合基板的光器件层的外延基板的背面侧向缓冲层照射对外延基板具有透射性且对缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线,破坏缓冲层;以及光器件层移设工序,在实施了该缓冲层破坏工序之后,将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板,该光器件层移设工序是在向复合基板施加超声波振动的同时实施的,在该光器件层移设工序中,向形成复合基板的外延基板和移设基板中的任意一方的面施加超声波振动,在作为外延基板与移设基板的边界部的缓冲层插入楔,将外延基板从光器件层剥离并将光器件层移设到移设基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510255893.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:CMOS晶体管的形成方法
- 下一篇:一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造