[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其封装方法有效
| 申请号： | 201510256076.5 | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN104979318A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级芯片封装结构及其封装方法，该晶圆级芯片封装结构包括金属凸点，所述金属凸点上设有阻挡层，所述阻挡层上设有焊球，所述金属凸点和所述阻挡层的外围设有塑封层，所述阻挡层的下表面位于所述塑封层的上表面以下。本发明还提供一种上述的晶圆级芯片封装方法，包括以下步骤：表面钝化处理；形成附着层；涂覆光阻材料并感光；形成再布线层；去除光阻材料；形成金属凸点的开口部分；形成金属凸点、阻挡层和铜层；去除光阻材料或干膜；去除附着层；进行塑封；打磨、减薄；刻蚀铜层；植球。本发明在晶圆级芯片封装结构中，增加一层阻挡层，可以有效阻止金属间化合物的不利影响。对于产品的电性能和机械性能有明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级芯片封装结构，包括金属凸点，其特征在于，所述金属凸点上设有阻挡层，所述阻挡层上设有焊球，所述金属凸点和所述阻挡层的外围设有塑封层，所述阻挡层的下表面位于所述塑封层的上表面以下。
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