[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510257741.2 | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN105097738B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 增田晃一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 得到一种半导体装置，其实现装置的小型化，并且散热性好，不对所要搭载的半导体元件的大小造成限制。在P图案(5)上搭载具有表面正极区域(10A)的二极管(D1)，在N图案(6)上搭载具有表面负极区域(20K)的二极管(D2)。此时，以表面正极区域(10A)相对于所对应的负极区域的第1上下关系、以及表面负极区域(20K)相对于所对应的正极区域的第2上下关系一致，即，均处于上方的方式，形成二极管(D1以及D2)，将表面正极区域(10A)以及表面负极区域(20K)间通过设置于上方的导线(25)而电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：第1半导体元件，其搭载在第1电路图案上，具有第1一个以及另一个电极区域；以及第2半导体元件，其相对于所述第1半导体元件独立地搭载在第2电路图案上，具有第2一个以及另一个电极区域，所述第1半导体元件的所述第1一个电极区域及所述第2半导体元件的所述第2另一个电极区域电连接于中间连接点，所述第1以及第2半导体元件中的至少一个半导体元件是二极管，在所述第1半导体元件为二极管的情况下，所述第1一个电极区域为正极区域，所述第1另一个电极区域为负极区域，在所述第2半导体元件为二极管的情况下，所述第2一个电极区域为正极区域，所述第2另一个电极区域为负极区域，在所述第1半导体元件为IGBT的情况下，所述第1一个电极区域为发射极区域，所述第1另一个电极区域为集电极区域，在所述第2半导体元件为IGBT的情况下，所述第2一个电极区域为发射极区域，所述第2另一个电极区域为集电极区域，以所述第1一个电极区域相对于所述第1另一个电极区域的第1上下关系、与所述第2另一个电极区域相对于所述第2一个电极区域的第2上下关系一致的方式，形成所述第1以及第2半导体元件。
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