[发明专利]可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管有效
| 申请号： | 201510258512.2 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104835859B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 王俊龙;邢东;梁士雄;张立森;杨大宝;赵向阳;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/41 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 黄辉本 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管，涉及二极管技术领域。所述二极管包括位于衬底上的第一金属电极组件、第二金属电极组件、第一二极管组件和第二二极管组件，所述二极管通过将一端的金属电极组件分成两个小的分电极组件，可以在两个小的分电极组件上引入直流馈电，增加直流偏置，可选择偏置使二极管工作在变容管状态或变阻管状态，工作在容性状态，可以获得较好的倍频效率，工作在阻性状态，可以获得较大的工作带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 混频 gaas 赫兹 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管，所述二极管包括位于衬底(1)上的第一金属电极组件(2)、第二金属电极组件(3)、第一二极管组件(4)和第二二极管组件(5)，所述第一二极管组件(4)和第二二极管组件(5)位于第一金属电极组件(2)和第二金属电极组件(3)之间，所述第一金属电极组件(2)和第二金属电极组件(3)从下到上为第一重掺杂GaAs层(6)、第一低掺杂GaAs层(7)、第一二氧化硅层(8)和第一金属电极层(9)，所述第一金属电极层(9)内嵌于所述第一重掺杂GaAs层(6)、第一低掺杂GaAs层(7)和第一二氧化硅层(8)，且第一金属电极层(9)上表面的高度大于第一二氧化硅层(8)上表面的高度，第一肖特基接触金属层(10)内嵌于所述第一二氧化硅层(8)，且第一肖特基接触金属层(10)与第一低掺杂GaAs层(7)相接触；所述第一二极管组件(4)和第二二极管组件(5)从下到上为第二重掺杂GaAs层(11)、第二低掺杂GaAs层(12)、第二二氧化硅层(13)和第二金属电极层(14)，所述第二金属电极层(14)内嵌于所述第二重掺杂GaAs层(11)、第二低掺杂GaAs层(12)和第二二氧化硅层(13)，且第二金属电极层(14)上表面的高度大于第二二氧化硅层(13)上表面的高度，第二肖特基接触金属层(15)内嵌于所述第二二氧化硅层(13)，且第二肖特基接触金属层(15)与第二低掺杂GaAs层(12)相接触；其特征在于：所述第二金属电极组件(3)沿左右方向被分割成两个分电极组件，所述第一金属电极组件(2)上的第一金属电极层(9)通过金属空气桥(16)与第一二极管组件(4)上的第二肖特基接触金属层(15)连接，所述第一二极管组件(4)上的第二金属电极层(14)与第一分电极组件(31)上的第一肖特基接触金属层(10)通过金属空气桥(16)连接，第二分电极组件(32)上的第一金属电极层(9)通过金属空气桥(16)与第二二极管组件(5)上的第二肖特基接触金属层(15)连接，所述第二二极管组件(5)上的第二金属电极层(14)通过金属空气桥(16)与第一金属电极组件(2)上的第一肖特基接触金属层(10)连接；其中，低掺杂GaAs层和重掺杂GaAs层的掺杂元素为Ⅳ族元素，重掺杂GaAs层掺杂浓度为1018cm‑3量级，低掺杂GaAs层掺杂浓度为1×1016cm‑3到5×1017cm‑3。
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