[发明专利]生长氮化镓结晶组合物的方法在审
| 申请号： | 201510259501.6 | 申请日： | 2007-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN104894645A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 马克.P.德维林;克里斯蒂.J.纳兰;朴东实;洪慧聪;曹宪安;拉里.Q.曾 | 申请（专利权）人： | 莫门蒂夫性能材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/02;C30B9/08;C30B19/02;C30B19/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 孙梵 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种生长结晶组合物的方法，第一结晶组合物可包含镓和氮。结晶组合物可具有位于约3175cm-1处的红外吸收峰且单位厚度吸收率大于约0.01cm-1。在一种实施方案中，组合物具有小于约3×1018cm-3的氧浓度，且在第一结晶组合物的确定体积内可不含二维平面晶界缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 氮化 结晶 组合 方法 | ||
【主权项】：
一种生长氮化镓结晶组合物的方法，包括：加热与形核中心连通的源材料，其中所述形核中心包括含有镓和氮的第一结晶组合物，该第一结晶组合物具有厚度w以及限定垂直于厚度w的晶面的尺寸x和y，其中该第一结晶组合物包括至少一个尺寸x或y为至少3mm的至少一个晶粒，所述至少一个晶粒不含二维缺陷且具有小于约10,000cm‑2的一维位错密度；以及在所述第一结晶组合物上生长第二结晶组合物，其中所述第一结晶组合物和所述第二结晶组合物是相同或不同的第III族氮化物。
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