[发明专利]发光设备及其制造方法有效
| 申请号： | 201510259865.4 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105098001B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 金玟奎;郑廷桓;金景海;郭雨澈 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 实施例提供了一种发光设备及其制造方法。所述方法包括：在生长衬底上生长n型氮化物半导体层；在n型氮化物半导体层上生长活性层；通过在第一温度下向腔室引入III族元素源、V族元素源和p型掺杂物来在生长衬底上生长p型氮化物半导体层；以及将腔室内部从第一温度冷却至第二温度，其中在冷却过程期间保持p型掺杂物的引入。根据所公开的技术，可以防止p型掺杂物从p型氮化物半导体层扩散到腔室中。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造发光设备的方法，其包括：在生长衬底上生长n型氮化物半导体层；在n型氮化物半导体层上生长活性层；通过在第一温度下向腔室引入III族元素源、V族元素源和p型掺杂物来在活性层上生长p型氮化物半导体层；将腔室内部从第一温度冷却至第二温度，其中在腔室内部从第一温度至第二温度的冷却过程的至少一部分中将p型掺杂物引入腔室。
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