[发明专利]晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 201510260508.X | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104867907A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 高国华;郭飞 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆级封装结构，包括：晶圆；导电金属垫，设置于所述晶圆上；保护层，覆盖于所述晶圆上表面，并使所述导电金属垫露出；绝缘层，覆盖于所述保护层的上表面，并具有露出所述导电金属垫的开口部，其中，在所述绝缘层的上表面形成有与所述开口部连通的沟壑；再布线层，填充于所述沟壑和所述开口部，并连通所述导电金属垫。相比与现有技术，将再布线设置在绝缘层的沟壑内，有效防止封装器件的再布线层(RDL)之间形成的电迁移路径，避免了短路等异常，从而减少器件失效的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：晶圆；导电金属垫，设置于所述晶圆上；保护层，覆盖于所述晶圆上表面，并使所述导电金属垫露出；绝缘层，覆盖于所述保护层的上表面，并具有露出所述导电金属垫的开口部，，其中，在所述绝缘层的上表面形成有与所述开口部连通的沟壑；再布线层，填充于所述沟壑和所述开口部，并连通所述导电金属垫。
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