[发明专利]一种调制光与非调制光相结合的表面光电压测量方法

摘要

一种调制光与非调制光相结合的表面光电压测量方法，属于半导体光电压测量的技术领域。是将待测样品置于ITO导电玻璃底电极上，用10～40μm厚的云母片覆盖待测样品，再在云母片上覆盖上电极；打开光源，使调制光与非调制光同时照射到待测样品上，待测样品底电极和上电极间产生的光电压信号经锁相放大器放大后，输入计算机，由计算机记录待测样品的光电压信号强度值，进而实现对待测样品表面光电压的测量。利用本发明检测结果，可以直接讨论半导体表面态对光生电荷的捕获作用，体相光生电荷的动力学迁移过程，以及全固态Z型半导体复合体系的光生电荷迁移行为。

主权项

一种调制光与非调制光相结合的表面光电压测量方法，其步骤如下：(1)将待测样品置于ITO导电玻璃底电极上，用10～40μm厚的云母片覆盖待测样品，再在云母片上覆盖上电极；在光电压样品池内，ITO导电玻璃底电极通过样品池导线连出接地，上电极通过样品池导线连出接锁相放大器的信号输入端，锁相放大器的信号输出端连接计算机；(2)打开光源，使调制光与非调制光同时照射到待测样品上，待测样品底电极和上电极间产生的光电压信号经锁相放大器放大后，输入计算机，由计算机记录待测样品的光电压信号强度值，进而实现对待测样品表面光电压的测量；其中，激光器或LED发出的波长300～1000nm、光强0.1mW/cm²～100mW/cm²的单色光作为非调制光；氙灯通过单色仪后分散出来的波长1000～200nm的单色光再通过斩波器后获得的频率为10～2000Hz的光作为调制光；具体测量时非调制光的波长和调制光的具体扫描范围根据待量样品的带隙确定，光子能量必须可以激发半导体产生光生电子空穴对。