[发明专利]一种CZTSSe薄膜的硫化物靶材共溅射制备方法及产品有效
| 申请号： | 201510262416.5 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN104947050B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 朱成军;刘倩;吕笑公 | 申请（专利权）人： | 内蒙古大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C14/34;C23C14/58;C23C14/06;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京迎硕知识产权代理事务所(普通合伙)11512 | 代理人： | 吕良,张群峰 |
| 地址： | 010021 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种CZTSSe薄膜的硫化物靶材共溅射制备方法及产品，一种铜锌锡硫硒(Cu2ZnSn(SSe)4,简称CZTSSe)薄膜吸收层的共溅射制备方法，包括如下步骤(1)在钠钙玻璃衬底上，利用硫化物靶材采用共溅射工艺制备Cu‑Zn‑Sn‑S前驱体预制膜。(2)对共溅射所得的Cu‑Zn‑Sn‑S前驱体预制膜，采用无硫化的直接高温退火处理，制备铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,简称CZTS)薄膜吸收层。(3)采用步骤(2)中优化后的制备工艺方案制备Cu‑Zn‑Sn‑S前驱体预制膜，并采用固体硒源(Se粉)硒化退火工艺，制备CZTSSe薄膜吸收层。所得到的产品CZTS和CZTSSe薄膜都具有较高的光吸收系数，是较为理想的薄膜太阳能电池材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cztsse 薄膜 硫化物 靶材共 溅射 制备 方法 产品 | ||
【主权项】：
一种铜锌锡硫(CZTS)薄膜吸收层的共溅射制备方法，包括如下步骤：(1)在玻璃衬底上，利用三种硫化物靶材采用三靶磁控共溅射仪采用共溅射工艺制备Cu‑Zn‑Sn‑S前驱体预制膜，所述三种硫化物靶材分别为ZnS、SnS、Cu2S；(2)对共溅射所得的Cu‑Zn‑Sn‑S前驱体预制膜，采用无硫化的直接高温退火处理，制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜吸收层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古大学，未经内蒙古大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510262416.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成膜装置以及成膜方法
- 下一篇：隔热挡板及反应腔室
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
