[发明专利]用于处理半导体器件的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201510265200.4 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097476B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | A.赫特尔;F.J.桑托斯罗德里格斯;D.施勒格尔;H-J.舒尔策;A.R.施泰格纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于处理半导体器件的方法和半导体器件。根据各个实施例的用于处理半导体器件的方法可以包括：在半导体本体上方沉积第一金属化材料；执行加热工艺以便在半导体本体中形成包括第一金属化材料和半导体本体的材料的共晶的至少一个区域；以及在半导体本体上方沉积第二金属化材料以便通过在半导体本体中的所述至少一个区域接触半导体本体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理半导体器件的方法，包括：在半导体本体上方沉积第一金属化材料；执行加热工艺以便在半导体本体中形成多个区域，每个区域包括第一金属化材料和半导体本体的材料的共晶，其中所述多个区域中的两个或者更多个是非连续的并且被所述半导体本体的部分分隔；以及在执行所述加热工艺之后，在半导体层上方沉积第二金属化材料以便直接地物理接触至少两个或者更多个非连续的区域和位于其间的半导体本体的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
