[发明专利]一种TEM样品制备方法有效
| 申请号： | 201510266340.3 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN106289892B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 何明;郭炜;孔云龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TEM样品制备方法，包括以下步骤：提供一TEM预备样品，在所述TEM预备样品的目标区域上方制备一缓冲层；在所述TEM预备样品表面形成一金属保护层，得到TEM样品，其中，所述金属保护层覆盖所述缓冲层。本发明的TEM样品制备方法中，由于目标区域上方有缓冲层，用离子束沉积金属保护层不会对样品表面造成任何损伤，保证了目标的完整性和分析结果的可靠性。同时，本发明可通过热处理使缓冲层熔化并与样品紧密结合，该热处理温度不超过样品本身的耐受温度，不会对样品造成损害。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TEM样品制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一TEM预备样品，在所述TEM预备样品的目标区域上方制备一缓冲层；在所述TEM预备样品表面形成一金属保护层，得到TEM样品，其中，所述金属保护层覆盖所述缓冲层；其中，在所述TEM预备样品的目标区域上方制备所述缓冲层包括以下步骤：制备一固体片状缓冲层，所述缓冲层的材料为锡或锡合金；利用拾取装置将所述片状缓冲层放置于所述目标区域上方；对所述TEM预备样品进行热处理，使所述片状缓冲层薄片熔化，得到与所述目标区域表面紧密结合的缓冲层。
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