[发明专利]一种发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201510266884.X | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104993028B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李昱桦;乔楠;陈柏松;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述外延片包括：衬底、和依次覆盖在衬底上的缓冲层、无掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、以及P型层，多量子阱层为多周期结构，每个周期结构包括：量子阱层和覆盖在量子阱层上的量子垒层，最靠近P型层的量子垒层为超晶格结构，超晶格结构包括：多个交替生长的AlxGa1‑xN子层和GaN子层，0＜x＜1，AlxGa1‑xN子层中Al的组分随着生长顺序递变。本发明通过将外延片的多量子阱层中最靠近P型层的量子垒层设置为上述超晶格结构，一方面可以有效阻碍电子溢流，另一方面可以增加空穴的注入率，进而能提高外延片的内量子效率，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 超晶格结构 多量子阱层 量子垒层 外延片 子层 发光二极管外延 量子阱层 衬底 半导体技术领域 空穴 多周期结构 发光二极管 内量子效率 发光效率 交替生长 周期结构 掺杂的 缓冲层 注入率 覆盖 溢流 生长 阻碍 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括：衬底(10)、和依次覆盖在所述衬底(10)上的缓冲层(20)、无掺杂的GaN层(30)、N型层(40)、多量子阱层(50)、以及P型层(60)，其特征在于，所述多量子阱层(50)为多周期结构，每个所述周期结构包括：量子阱层(51)和覆盖在所述量子阱层(51)上的量子垒层(52)，最靠近所述P型层(60)的所述量子垒层(52)为超晶格结构，所述超晶格结构包括：多个交替生长的AlxGa1‑xN子层(521)和GaN子层(522)，0＜x＜1，所述AlxGa1‑xN子层(521)中Al的组分随着生长顺序递变。
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