[发明专利]一种NdGaO3单晶衬底的处理方法

摘要

本发明提供一种NdGaO3单晶衬底的处理方法，所述处理方法包括步骤首先，提供一待处理的NdGaO3单晶衬底，所述待处理的NdGaO3单晶衬底表面是由NdO层和GaO层构成的混合终结面；然后，将所述待处理的NdGaO3单晶衬底进行酸刻蚀，使所述NdGaO3单晶衬底表面初步形成由GaO层构成的单一终结面；最后，将所述NdGaO3单晶衬底置于高温炉中进行退火，获得具有原子尺度表面台阶的GaO单一终结面。通过本发明的处理方法可以将混合终结面的NdGaO3单晶衬底转变为GaO单一终结面的NdGaO3单晶衬底，并且衬底表面具有高度结晶的原子级平整的台阶，有利于后续生长出更为平整、可控且质量更好的氧化物薄膜材料。

主权项

一种NdGaO3单晶衬底的处理方法，其特征在于，所述处理方法至少包括：1)提供一待处理的NdGaO3单晶衬底，所述待处理的NdGaO3单晶衬底表面是由NdO层和GaO层构成的混合终结面；2)将所述待处理的NdGaO3单晶衬底进行酸刻蚀，使所述NdGaO3单晶衬底表面初步形成由GaO层构成的单一终结面；所述酸刻蚀的过程为：首先，配置酸溶液，先将配置质量浓度为40％的氢氟酸，之后将所述氢氟酸与氟化铵以及去离子水以(0.9～1.1)∶(2.9～3.1)∶(99.5～100.5)的体积比混合，形成酸溶液；然后，将待处理的NdGaO3单晶衬底置于酸溶液中浸泡39～41秒，所述NdGaO3单晶衬底表面的NdO层和所述酸溶液发生化学反应而溶解；3)将所述NdGaO3单晶衬底置于高温炉中进行退火，获得具有原子尺度表面台阶的GaO单一终结面。