[发明专利]利用选择腐蚀衬底剥离制备薄膜太阳能电池的工艺在审

专利信息
申请号: 201510270042.1 申请日: 2015-05-25
公开(公告)号: CN104993011A 公开(公告)日: 2015-10-21
发明(设计)人: 高鹏;孙强;肖志斌;刘如彬;薛超;张启明 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十八研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 刘昕
地址: 300384 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明属于太阳能电池领域,具体提供了一种利用选择腐蚀衬底剥离制备薄膜太阳能电池的工艺,包括下述步骤:在支撑衬底上,依次生长电池有源层、电池本体层;在电池本体层方向,使用BCB胶与廉价衬底键合;选择腐蚀衬底剥离工艺将支撑衬底及电池有源层剥离;将前述步骤得到的太阳能电池本体层在首结方向通过BCB胶键合到硅衬底;将BCB胶剥离,得到完整的电池本体层,即电池功能结构。本发明选用BCB胶与廉价衬底配合,封闭一端,在另一端选用选择腐蚀衬底剥离工艺,去除有源层后,也使用BCB胶封闭,最后统一将BCB胶腐蚀掉,得到完整电池本体结构的方法,腐蚀下来的支撑衬底可以重复利用,大大降低了制造成本,而且操作简单,成功率高。
搜索关键词: 利用 选择 腐蚀 衬底 剥离 制备 薄膜 太阳能电池 工艺
【主权项】:
利用选择腐蚀衬底剥离制备薄膜太阳能电池的工艺,包括下述步骤:1)在支撑衬底上,依次生长电池有源层、电池本体层;2)在电池本体层方向,使用BCB胶与廉价衬底键合;3)选择腐蚀衬底剥离工艺将支撑衬底及电池有源层剥离;4)将步骤3得到的太阳能电池本体层在首结方向通过BCB胶键合到硅衬底;5)将BCB胶剥离,得到完整的电池本体层,即电池功能结构。
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