[发明专利]一种接触孔形成方法

摘要

本发明提供一种接触孔形成方法，在以层间介质层中的初始接触孔为窗口，去除窗口底部的刻蚀阻挡层以形成接触孔之后，且在湿法清洗接触孔前，额外增加了第二次去胶处理工艺来改变表面亲水性，在后续湿法清洗时能完全去除残留在接触孔中的高分子聚合物，使得接触孔中基本没有高分子聚合物残留，大大改善了后续接触孔金属填充的效果，达到了提高和稳定产品良率的目的。

主权项

一种接触孔形成方法，其特征在于，包括：将一待接触孔刻蚀的半导体衬底送入刻蚀设备的刻蚀腔，所述半导体衬底的表面上依次形成有刻蚀阻挡层、层间介质层、含碳硬掩膜层以及图案化的光刻胶；在所述刻蚀设备的刻蚀腔中，以图案化的光刻胶为掩膜，对所述含碳硬掩膜层和层间介质层依次进行接触孔刻蚀，以在所述层间介质层中形成初始接触孔；在所述刻蚀设备的刻蚀腔中，对形成初始接触孔后的器件表面进行第一次去胶，以去除所述图案化的光刻胶和含碳硬掩膜层；在所述刻蚀设备的刻蚀腔中，以剩余的层间介质层为掩膜，去除所述接触孔底部的刻蚀阻挡层，形成接触孔；在所述刻蚀设备的刻蚀腔中，对接触孔的内表面进行第二次去胶；在湿法清洗机台中对第二次去胶后的器件表面进行湿法清洗。