[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的各个实施例涉及一种半导体器件。本发明使得在半导体器件的制造过程中可以抑制：杂质从衬底扩散至半导体层；以及晶体管的耐受电压的降低。在本发明中，第一导电类型的外延层形成在第一导电类型的基底衬底之上。外延层的杂质浓度低于基底衬底的杂质浓度。第二导电类型的第一嵌入层和第二导电类型的第二嵌入层形成在外延层中。第二嵌入层比第一嵌入层更深，远离第一嵌入层，并且具有比第一嵌入层更低的杂质浓度。在外延层中进一步形成晶体管。

主权项

一种半导体器件，具有：第一导电类型的基底衬底；第一导电类型的半导体层，形成在所述基底衬底之上，并且与所述基底衬底相比、具有更低的杂质浓度；第二导电类型的第一嵌入层，形成在所述半导体层中；第二嵌入层，形成在所述半导体层中，比所述第一嵌入层更深，远离所述第一嵌入层，并且与所述第一嵌入层相比、具有更低的杂质浓度；以及晶体管，形成在所述半导体层中。