[发明专利]带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体器件及其制作方法技术领域。所述二极管包括衬底，所述衬底上设有N+型GaN层和N‑型GaN层，第一欧姆接触层和N‑型GaN层保持间隔设置，右侧高掺杂的N+型GaN层的上表面设有第二欧姆接触层，所述N‑型GaN层的上表面设有肖特基接触层，所述肖特基接触层与第二欧姆接触层之间通过空气桥进行连接，所述第一欧姆接触层上设有第一悬空梁式引线，所述空气桥上设有第二悬空梁式引线。所述二极管利用梁式引线结构，可以实现微小芯片的压焊机装配，减少了涂覆导电胶带来的麻烦，降低了器件装配难度，提高工作效率和器件的质量。

主权项

一种带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管制作方法，其特征在于包括如下步骤：1）在衬底（1）的上表面外延生长高掺杂的N+型GaN层（2）；2）在高掺杂的N+型GaN层（2）的上表面外延生长N‑型GaN层（5）；3）采用光刻或干法刻蚀的方法对N‑型GaN层（5）进行处理得到N‑型GaN台面；4）采用光刻方法对N‑型GaN层（5）进行光刻，露出N‑型GaN台面隔离，采用干法刻蚀形成欧姆接触层之间的隔离槽（3）；5）在N+型GaN层（2）的上表面分别形成第一欧姆接触层（4）和第二欧姆接触层（6）；6）在N‑型GaN层（5）的上表面进行光刻，露出肖特基接触区，在肖特基接触区蒸发金属形成肖特基接触层（7）；7）采用平整化工艺将隔离槽（3）填平；8）采用电镀工艺在肖特基接触层（7）和第二欧姆接触层（6）之间形成空气桥（8）；9）采用激光烧蚀的方法将芯片周围的衬底（1）腐蚀掉，在芯片的周围形成烧蚀槽；10）采用厚胶多次旋涂方法进行平整化工艺，将烧蚀槽填平，在第一欧姆接触层（4）以及空气桥上光刻出梁式引线图形，采用电镀方法在梁式引线图形上制作出梁式引线。