[发明专利]垂直全环栅器件系统及其制造方法在审
| 申请号： | 201510278164.5 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105304487A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 林正堂;蔡腾群;王立廷;陈德芳;彭治棠;林宏达;王建勋;黄鸿仪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28;H01L29/775 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直全环栅器件系统及其制造方法。提供了用于形成纳米线器件的底部源极/漏极接触区的结构和方法。纳米线形成在衬底上。纳米线相对于衬底基本上垂直延伸，并且纳米线设置在顶部源极/漏极区和底部源极/漏极区之间。第一介电材料形成在底部源极/漏极上。第二介电材料形成在第一介电材料上。执行第一蚀刻工艺，以去除部分第一介电材料和部分第二介电材料，从而暴露部分底部源极/漏极区。执行第二蚀刻工艺，以去除第一介电材料的位于第二介电材料下面的一部分，以进一步地暴露底部源极/漏极区。第一含金属材料形成在暴露的底部源极/漏极区上。执行退火，以形成底部接触区。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 全环栅 器件 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上制造纳米线器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成纳米线，所述纳米线相对于所述衬底垂直延伸，并且所述纳米线设置在顶部源极/漏极区和底部源极/漏极区之间；在所述底部源极/漏极区上形成第一介电材料；在所述第一介电材料上形成第二介电材料；执行第一蚀刻工艺，以去除部分所述第一介电材料和部分所述第二介电材料，以暴露部分所述底部源极/漏极区；执行第二蚀刻工艺，以去除所述第一介电材料的位于所述第二介电材料下面的一部分，并且在所述衬底和所述第二介电材料之间形成底切区，以进一步地暴露所述底部源极/漏极区；在所述暴露的底部源极/漏极区上形成第一含金属材料；以及对所述第一含金属材料和所述底部源极/漏极区执行退火，以形成底部接触区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
