[发明专利]一种n型氧化亚铜薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种n型氧化亚铜及其制备方法，其中，所述制备方法采用反应性双靶共溅射的方法，以铜靶材和铟靶材作为溅射靶材，以硅片或K9玻璃作为衬底，以高纯氧气和氩气作为溅射气体；所述溅射铜靶材的纯度为99.99%，铟靶材的纯度为99.999％；所述铜靶位上的功率为16.5W，所述铟靶位上的功率为10W。本发明所述制备方法可控性强，可实现n型氧化亚铜薄膜的大面积、均匀生长，并且所述制备方法成本低。另外本发明所沉积的n型氧化亚铜薄膜具有良好的附着性和重复性，其吸收系数高、无毒环保，用其所制成的太阳能电池的转化效率高。

主权项

一种n型氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法采用反应性双靶共溅射的方法，以铜靶材和铟靶材作为溅射靶材，以硅片或K9玻璃作为衬底，以高纯氧气和氩气作为溅射气体；所述溅射铜靶材的纯度为99.99%，铟靶材的纯度为99.999%；所述铜靶位上的功率为15‑18W，所述铟靶位上的功率为5‑15W；所述铟靶位上的功率小于铜靶位上的功率；所述制备方法包括以下步骤：A、采用丙酮、酒精和去离子水依次对衬底进行超声波清洗，并对清洗后的衬底进行固定；B、分别将铜靶材和铟靶材固定在两个靶位上，溅射靶材放置的位置与衬底之间的距离为7‑11cm;C、将反应室抽真空至压力低于6×10‑4Pa，通入高纯氧气和氩气进行溅射，在溅射气压为1‑3Pa，衬底温度为300‑500℃的条件下溅射20‑40分钟，形成沉积在衬底表面的薄膜；D、溅射结束后，将薄膜温度冷却至室温，得到所制备的n型氧化亚铜薄膜。