[发明专利]一种具低阻的P型GaN外延层制备方法

摘要

本发明提供了一种具低阻的P型GaN外延层制备方法，包括如下步骤在氢气气氛下高温处理衬底；在处理的衬底表面依次生长缓冲层、非掺的GaN层、n型GaN层、多量子阱有源区层和电子阻挡层；在电子阻挡层上生长P型GaN层；在P型GaN层上生长P型接触层；在处理衬底之前往反应室中预通Cp2Mg，通入时间0‑3600S，流量为0—4000 sccm并将反应室暴露在大气中生长MgO且在所述S3中p型GaN层生长前，往反应室内通入CP2Mg掺杂剂，所述CP2Mg掺杂剂的流量为0—4000 sccm，通入时间为60—300S，使p型GaN层中的Mg杂质浓度稳定在最佳值(3‑4e19 cm‑3)。本发明保证了p型GaN中的空穴浓度和迁移率，降低p型GaN的电阻，降低了LED的工作电压。

主权项

一种具低阻的P型GaN外延层制备方法，采用MOCVD 技术，利用NH3、TMGa 或TEGa、TMIn、TMAl 分别作为N 源、Ga 源、In 源和Al 源，使用Cp2Mg 和SiH4 作为Mg 和Si 的掺杂源生长，包括如下步骤：S1，在氢气气氛下高温处理衬底；S2， 在处理的衬底表面依次生长缓冲层、非掺的GaN层、 n型GaN层、多量子阱有源区层和电子阻挡层；S3，在电子阻挡层上生长P型GaN层；S4，在P型GaN层上生长P型接触层；其特征在于：在S1之前往反应室中预通Cp2Mg，通入时间0‑3600S，流量为0—4000 sccm并将反应室暴露在大气中生长MgO，当反应室侧壁覆盖MgO时，开始步骤S1，且在所述S3中p型GaN层生长前，往反应室内通入CP2Mg掺杂剂，所述CP2Mg掺杂剂的流量为0—4000 sccm，通入时间为60—300 S，且控制Mg和Ga的摩尔流量比为0.01—0.02，使p型GaN层中的Mg杂质浓度稳定在最佳值(3‑4e19 cm‑3)。