[发明专利]一种金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合发光膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510281254.X 申请日: 2015-05-28
公开(公告)号: CN104926155B 公开(公告)日: 2017-09-22
发明(设计)人: 杨尊先;郭太良;徐胜;叶芸;钱堃;刘佳慧 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34;C09K11/88;C09K11/02
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350002 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合发光膜的制备方法,利用简单的旋涂成膜工艺技术,在ITO玻璃衬底上,分别以金属量子点核作为等离子激元增强中心,以金属量子点外包有机高分子壳作为隔离层,以CdSe半导体量子点作为光致发光中心、旋涂形成金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合发光层,再通过有机物旋涂、封装工艺,最终制备出金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合发光膜。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单。此外,由于采用简单的一步旋涂工艺技术,实现复合膜金属/有机壳核量子点粒径及其外层有机绝缘隔离层厚度可控且分散性良好,同时能够有效提高半导体量子点光学膜的光致发光性能。
搜索关键词: 一种 金属 机壳 量子 半导体 复合 发光 制备 方法
【主权项】:
一种金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合发光膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤S1:选取一ITO玻璃作为复合发光膜的衬底,所述ITO玻璃包括一玻璃衬底以及所述玻璃衬底表面覆盖的ITO薄膜;步骤S2:制备CdSe量子点溶液,将得到的CdSe半导体量子点作为光致发光中心;步骤S3:制备金属/有机壳核量子点溶液,将得到的金属量子点核作为等离子激元增强中心,将金属量子点外包有机高分子壳作为隔离层;步骤S4:采用旋涂成膜工艺在ITO玻璃表面制备金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合发光层;步骤S5:通过有机物旋涂与封装工艺制备出金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合发光膜;所述步骤S3具体包括以下步骤:步骤S31:制备金属量子点溶液:将包括硝酸银与HAuCl4的含金属离子化合物、亚油酸钠、无水乙醇以及亚油酸混合搅拌后依次通过水热反应、反复采用去离子水或无水乙醇高速离心清洗处理得到反应产物,最后将所述反应产物分散到环己烷中即可得到相应的金属量子点溶液;步骤S32:制备金属/有机壳核量子点溶液:将聚酰胺酸溶液与金属量子点溶液按照比例混合浸泡一定时间后高速离心,并将表面吸附一定量聚酰胺酸分子的金属量子点并采用阶梯热处理温度实现聚酰胺酸的聚酰亚胺化,通过浸泡、高速离心分离和热处理聚酰亚胺化工艺多次循环控制金属量子点表面的聚酰亚胺壳层厚度,形成金属/有机壳核量子点,并将金属/有机壳核量子点分散到环己烷中即可得到金属/有机壳核量子点溶液。
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