[发明专利]一种具有量子点结构的紫外发光二极管有效
| 申请号： | 201510282242.9 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104966768B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张雄;栾华凯;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/16 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有量子点电子阻挡层(EBL)结构的紫外发光二极管(UV‑LED)，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、非掺杂u型AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN量子阱有源区、p型AlN/AlGaN量子点电子阻挡层、p型AlGaN层和氧化铟锡导电层(ITO)，在n型AlGaN层上引出n型欧姆电极，在氧化铟锡导电层(ITO)上引出p型欧姆电极。本发明通过采用自组装AlN/AlGaN量子点的p型掺杂层作为电子阻挡层和空穴注入层，能够有效抑制电子溢出有源区，增强空穴注入有源区效率，从而提高有源区内载流子的复合效率。并且用AlN取代蓝光LED中常用的AlGaN作为EBL层，能够更加有效地减少EBL层对紫外光的吸收，提高UV‑LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 量子 结构 紫外 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有量子点结构的紫外发光二极管，其特征在于：包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底(101)、AlN成核层(102)、非掺杂AlGaN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区(105)、p型AlN/AlGaN量子点电子阻挡层(106)、p型AlGaN层(107)和氧化铟锡导电层(ITO)(108)，在n型AlGaN层上引出n型欧姆电极(110)，在氧化铟锡导电层(ITO)上引出p型欧姆电极(109)；在所述AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区(105)与p型AlGaN层(107)之间设置有p型AlN/AlGaN量子点电子阻挡层(106)；电子阻挡层(106)是在AlN中以自组装模式生长的、呈均匀分布的AlGaN量子点。
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