[发明专利]一种晶体硅太阳能电池生产工艺无效
申请号: | 201510287576.5 | 申请日: | 2015-05-29 |
公开(公告)号: | CN104900761A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 杨道祥;杨波;李伟业;王娜 | 申请(专利权)人: | 安徽旭能光伏电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 239500 安徽省滁州市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池生产工艺,它包括以下几个步骤:(1)清洗、制绒;(2)扩散、刻蚀;(3)检测;(4)减反射膜沉积;(5)印刷、烧结;(6)检测分选;(7)包装入库;为了保证产品质量的一致性,通常要对每个电池片测试,并按电流和功率大小进行分类,也可根据电池效率进行分级;对硅片进行离心甩干,是在真空条件下进行的;扩散设备工作温度为800-900℃。本发明工艺流程简单、合理,能有效提高产品质量及成品率,节约资源;降低了对制作太阳能电池材料的要求,提高了电池短路电流和开路电压。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 生产工艺 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池生产工艺,其特征在于:它包括以下几个步骤:(1)清洗、制绒:用化学碱或酸腐蚀硅片,以去除硅片表面机械损伤层,并进行硅片表面织构化,形成金字塔结构的绒面从而减少光反射;(2)扩散、刻蚀:先将清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干,再将甩干后的硅片放置在扩散设备上进行扩散,最后用腐蚀磷硅玻璃和等离子刻蚀边缘电流通路;(3)检测:对扩散、刻蚀后的硅片进行检测,看是否满足工艺要求,剔出不合格产品;(4)减反射膜沉积:采用等离子体增强型化学气相沉积技术在电池表面沉积一层氮化硅减反射膜,不仅可以减少光的反射,而且有大量的氢原子进入,因此也起到了很好的表面钝化和体钝化的效果;(5)印刷、烧结:为了从电池上获取电流,一般在电池的正、背两面制作电极,正面栅网电极的形式和厚度要求一方面要有高的透过率,另一方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻,背面做成BSF结构,以减小表面电子复合,印刷后要进行高温烧结;(6)检测分选:为了保证产品质量的一致性,通常要对每个电池片测试,并按电流和功率大小进行分类,也可根据电池效率进行分级;(7)包装入库:将分选好的电池片一部分可以进行包装、入库。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽旭能光伏电力有限公司,未经安徽旭能光伏电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510287576.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种柔性太阳能电池组件的制备方法
- 下一篇:一种制作太阳能电池的扩散工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的