[发明专利]利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统及编辑缓存方法有效
| 申请号： | 201510288523.5 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN105630406B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;郭一民 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统，包括MRAM与块存储设备，MRAM包括编辑缓存区，用于缓存文件编辑内容，块存储设备用于存储文件数据。本发明还提供一种利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统的编辑缓存方法。利用MRAM作为编辑缓存区，在用户保存文件时，只更新MRAM中的编辑缓存区，并不擦写NAND闪存，因而能够延长系统的使用寿命，也减小系统的存储负荷。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 mram 作为 编辑 缓存 存储系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用MRAM作为编辑缓存区的存储系统的编辑缓存方法，其特征在于，所述存储系统包括MRAM与块存储设备，所述MRAM包括编辑缓存区，用于缓存文件编辑内容，所述块存储设备用于存储文件数据；所述编辑缓存方法包括以下步骤：(1)应用程序为其所编辑的文件，向操作系统申请编辑缓存区中的一块空间作为所述文件的编辑缓存；(2)当应用程序的用户选择保存所述文件时，所述应用程序按顺序把编辑记录保存在所述文件的编辑缓存内；(3)当所述文件的编辑缓存中的数据量大于或等于第一设定值，清理文件的编辑缓存区。
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