[发明专利]MEMS压力传感器、MEMS惯性传感器集成结构有效
| 申请号： | 201510288750.8 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104891418A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 郑国光 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81B7/00;B81B7/02;G01L9/12 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 马佑平;王昭智 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS压力传感器、MEMS惯性传感器集成结构，包括形成于衬底上的绝缘层、均形成于绝缘层上的第一下电极和第二下电极，还包括与第一下电极构成气压敏感型电容器的第一上电极，以及与第二下电极构成基准电容器的第二上电极；还包括通过第三支持部支撑在衬底上方的惯性敏感结构，以及与惯性敏感结构构成惯性传感器的惯性检测电容器的固定极板；其中还包括盖体，盖体将惯性敏感结构、固定极板构成的惯性检测电容器封装在衬底上。本发明的集成结构，将MEMS惯性传感器和MEMS压力传感器集成在同一衬底上，可有效减小芯片的面积，从而降低了芯片的成本；通过一次封装，即可完成整个芯片的封装，降低了芯片封装的成本。 | ||
| 搜索关键词： | mems 压力传感器 惯性 传感器 集成 结构 | ||
【主权项】：
一种MEMS压力传感器、MEMS惯性传感器集成结构，其特征在于：包括衬底(1)、形成于所述衬底(1)上的绝缘层(2)、均形成于所述绝缘层(2)上的第一下电极(3a)和第二下电极(3b)，还包括通过第一支撑部(7a)支撑在所述第一下电极(3a)上方的第一上电极(4a)，以及通过第二支撑部(7b)支撑在所述第二下电极(3b)上方的第二上电极(4b)；所述第一上电极(4a)为压力敏感膜，且所述第一上电极(4a)与所述第一下电极(3a)之间的腔体为密闭腔体(9a)，以使所述第一上电极(4a)与所述第一下电极(3a)构成压力传感器的气压敏感型电容器；所述第二上电极(4b)与所述第二下电极(3b)构成电容量不随外界气压变化的基准电容器；还包括通过第三支持部(7c)支撑在衬底(1)上方的惯性敏感结构(4c)，以及与惯性敏感结构(4c)构成惯性传感器的惯性检测电容器的固定极板；其中还包括盖体(8)，所述盖体(8)将惯性敏感结构(4c)、固定极板构成的惯性检测电容器封装在衬底(1)上。
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